石墨烯作為一種理想的透射電鏡載網(wǎng)材料，在電鏡表征過程中顯示出其獨(dú)特的優(yōu)勢。這種由單層碳原子構(gòu)成的材料，由于其規(guī)則排列和厚度極小的特性，幾乎不會引入背景干擾，從而為單原子、有機(jī)小分子及生物大分子提供了極高的成像對比度。這不僅有利于高分辨率的結(jié)構(gòu)解析，而且其優(yōu)異的力學(xué)和電學(xué)性質(zhì)還能有效地實現(xiàn)樣品負(fù)載，顯著減少由高能電子束輻照引起的樣品位移。特別是在冷凍電鏡生物大分子的高分辨結(jié)構(gòu)解析中，石墨烯能有效避免氣液界面對生物大分子結(jié)構(gòu)的損傷，進(jìn)一步提升成像質(zhì)量。因此，石墨烯在電鏡支撐膜等領(lǐng)域展現(xiàn)出了良好的應(yīng)用前景。

在評估石墨烯透射電鏡載網(wǎng)的質(zhì)量時，關(guān)注的兩個主要指標(biāo)是懸空石墨烯的完整度與潔凈度。為了克服轉(zhuǎn)移過程中可能導(dǎo)致的石墨烯損傷，采用一種直接在生長基底上通過刻蝕方法制備支撐膜的新工藝路線（專利號ZL201811381142.1），從而避免了石墨烯的轉(zhuǎn)移步驟。此外，為了提高石墨烯的潔凈程度，還開發(fā)了一種異丙醇輔助的無膠轉(zhuǎn)移法，成功制備了超潔凈的石墨烯透射電鏡支撐膜（專利號CN201611019356.5）。然而，這兩種方法都面臨一個共同的挑戰(zhàn)：使用的石墨烯生長基底（如銅箔、銅鎳合金等）表面存在臺階、壓延線等不平整結(jié)構(gòu)，這導(dǎo)致生長出的石墨烯復(fù)制了基底的粗糙結(jié)構(gòu)，表面出現(xiàn)大量褶皺。這種褶皺，作為線缺陷，不僅降低了石墨烯的力學(xué)、電學(xué)和化學(xué)穩(wěn)定性，而且在作為透射電鏡載網(wǎng)時，由于電子束輻照導(dǎo)致的樣品位移增大，進(jìn)而降低了成像的分辨率和圖像質(zhì)量。另一方面，商用電鏡載網(wǎng)雖然應(yīng)用范圍廣泛，但由于其表面較高起伏的金屬柵格，轉(zhuǎn)移晶圓級超平整石墨烯的方法也面臨完整度低，潔凈度有待提升等問題。在冷凍電鏡表征中，基底的粗糙性還會影響到冰層的均勻性，這對于制備大面積、均勻且較薄的冰層不利。而晶圓石墨烯具有更高的潔凈度，減少了銅箔石墨烯在高溫下產(chǎn)生的無定形碳污染、表面形貌更平整具有更高的質(zhì)量、更少的缺陷、具有優(yōu)異的電學(xué)性能，適合規(guī)?；a(chǎn)。本文聚焦一種基于分子自組裝的無膠轉(zhuǎn)移方法，通過廿四烷酸分子的低表面張力特性，實現(xiàn)晶圓級超平整石墨烯載網(wǎng)的批量化制備。

技術(shù)痛點(diǎn)：傳統(tǒng)方法的局限性

傳統(tǒng)石墨烯電鏡載網(wǎng)制備技術(shù)長期面臨三大核心挑戰(zhàn)。首先，銅箔基底的臺階、壓延線等不平整結(jié)構(gòu)導(dǎo)致石墨烯表面粗糙度普遍＞2nm，電子束輻照下樣品位移顯著，直接限制成像分辨率。其次，PMMA等聚合物膠體在高溫刻蝕后產(chǎn)生無定形碳?xì)埩?，增加背景噪音，影響小分?單顆粒成像對比度。最后，機(jī)械剝離法對高起伏載網(wǎng)（如1.2μm懸空碳膜）適配性差，破孔率＞20%，良品率難以提升。這些問題嚴(yán)重制約了石墨烯載網(wǎng)在冷凍電鏡等高端表征中的應(yīng)用。

創(chuàng)新方法：分子自組裝驅(qū)動的無膠轉(zhuǎn)移

本方案的核心突破在于引入廿四烷酸分子自組裝機(jī)制，替代傳統(tǒng)聚合物膠體。廿四烷酸溶于丙酮（表面張力23mN/m）后，通過氫鍵（羧基間）和范德華力（烷基鏈）形成有序單層膜，取代PMMA膠體。其濃度控制在0.01%-1%范圍內(nèi)，既保證分子自組裝的可控性，又避免過度堆積引發(fā)污染。分子間作用力（π-π堆積、疏水作用）提供均勻粘附力，使范德華力（～10^-3 N/m）遠(yuǎn)低于PMMA膠體的彈性模量（～1GPa），有效緩解轉(zhuǎn)移應(yīng)力。工藝流程標(biāo)準(zhǔn)化為：40μL/cm2廿四烷酸-丙酮溶液覆蓋載網(wǎng)，室溫?fù)]發(fā)后實現(xiàn)晶圓石墨烯與Quantifoil載網(wǎng)的緊密貼合；1mol/L過硫酸鈉溶液（pH=1.5）室溫刻蝕1小時去除銅基底；200mL去離子水（30min×2次）+100mL異丙醇（1min×1次）清洗殘留刻蝕液及雜質(zhì)。

關(guān)鍵步驟解析：從晶圓到載網(wǎng)的全流程控制

1.晶圓級石墨烯的生長與預(yù)處理

選擇4英寸藍(lán)寶石襯底，確保單晶石墨烯覆蓋率＞95%。掃描電鏡（SEM）確認(rèn)無明顯缺陷后，利用Parafilm鑷子靜電吸附載網(wǎng)，避免機(jī)械夾取導(dǎo)致邊緣褶皺。該步驟通過物理吸附力（～0.1N）替代傳統(tǒng)鑷子夾持，減少載網(wǎng)形變風(fēng)險。

2.分子自組裝貼合的微觀機(jī)理

丙酮揮發(fā)過程中，廿四烷酸分子通過氫鍵網(wǎng)絡(luò)形成連續(xù)膜層，填充載網(wǎng)與石墨烯間的微米級間隙。氫鍵（～40kJ/mol）與范德華力（～4kJ/mol）協(xié)同作用，使分子層厚度穩(wěn)定在2-3nm，既保證界面結(jié)合力，又避免過度堆積。溶液揮發(fā)動力學(xué)研究表明，丙酮揮發(fā)速率（～0.5g/min）與分子自組裝速度匹配，確保貼合過程無氣泡殘留。

3.刻蝕與清洗的協(xié)同效應(yīng)

過硫酸鈉的強(qiáng)氧化性（E°=1.8V）優(yōu)先攻擊銅基底晶界，1小時刻蝕深度達(dá)100μm，確保石墨烯完整剝離。異丙醇（IPA）作為極性溶劑，通過氫鍵與非極性殘留物（如CuSO4·5H2O）相互作用，清除微量刻蝕副產(chǎn)物。實驗數(shù)據(jù)顯示，清洗后表面殘留污染物降至＜0.1ppm，顯著優(yōu)于傳統(tǒng)方法（5-10ppm）。

性能驗證：多維度表征結(jié)果

本方法制備的石墨烯載網(wǎng)在關(guān)鍵指標(biāo)上實現(xiàn)突破。表面粗糙度從傳統(tǒng)方法的1.2-2.0nm降至0.5nm，破孔率＜10%，遠(yuǎn)低于傳統(tǒng)機(jī)械剝離法的＞20%。掃描電鏡表征顯示，1.2μm碳膜孔覆蓋率達(dá)92%，孔邊緣無撕裂痕跡。透射電鏡驗證中，選區(qū)電子衍射（SAED）顯示石墨烯晶格無畸變，半峰寬＜0.05nm，缺陷密度＜10??cm?2。拉曼光譜顯示2D峰（2680cm?1）半峰寬＜20cm?1，優(yōu)于傳統(tǒng)方法（0.1-0.2nm）。原子力顯微鏡測量區(qū)域（13μm×13μm）表面起伏標(biāo)準(zhǔn)差σ=0.12nm，滿足冷凍電鏡薄冰制備需求（冰層厚度20nm±2nm）。

應(yīng)用拓展：異質(zhì)結(jié)轉(zhuǎn)移與規(guī)?；a(chǎn)

本方法不僅適用于單層石墨烯，還可擴(kuò)展至雙層石墨烯及異質(zhì)結(jié)構(gòu)建。雙層石墨烯轉(zhuǎn)移后層間距穩(wěn)定在0.34nm，無堆疊錯位。通過疊層轉(zhuǎn)移，成功實現(xiàn)氮化硼-石墨烯異質(zhì)結(jié)，界面無污染，電導(dǎo)率提升2個數(shù)量級。工業(yè)化評估顯示，單次處理4英寸晶圓可完成千級載網(wǎng)轉(zhuǎn)移，良品率＞90%。成本方面，廿四烷酸成本較PMMA降低80%，清洗步驟減少30%溶劑消耗，具備顯著經(jīng)濟(jì)優(yōu)勢。

結(jié)論：自組裝技術(shù)驅(qū)動的材料革命

本發(fā)明通過廿四烷酸的分子自組裝機(jī)制，成功突破石墨烯載網(wǎng)轉(zhuǎn)移的技術(shù)瓶頸。核心價值體現(xiàn)在：潔凈度提升至ppm級，背景噪音顯著降低，適配單原子成像需求；表面粗糙度突破0.5nm，抑制電子束漂移，成像分辨率達(dá)1.2?；工藝兼容性覆蓋多種載網(wǎng)（Quantifoil、金膜）及異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)，拓展至冷凍電鏡、量子器件等領(lǐng)域。未來可通過調(diào)整自組裝分子種類（如硫醇酸、氟代烷烴），進(jìn)一步優(yōu)化界面結(jié)合力與功能化修飾能力，推動石墨烯載網(wǎng)在納米科技中的規(guī)?；瘧?yīng)用。