在半導體制造的襯底上薄膜沉積或生長工藝中所產(chǎn)出的晶圓厚度或其他性能指標的均勻性，是直接關(guān)乎后端元器件一致性的關(guān)鍵指標，也是其工藝技術(shù)不懈追求的目標。目前已有多種方法控制晶圓生長過程的均勻性，并且可以滿足一般制造的要求。但隨著半導體技術(shù)的發(fā)展應(yīng)用以及成本要求的提高，現(xiàn)有在生長環(huán)節(jié)優(yōu)化均勻性的技術(shù)已不能滿足更進一步對晶圓均勻性的需求。尤其在傳感領(lǐng)域的半導體晶圓制造中，敏感材料的厚度、電阻等指標的差異將造成后端同一晶圓制作出的元器件在靈敏度，精度存在較大差別。這將導致同一片晶圓中生產(chǎn)出不同性能的元器件并且其差別及其分布不可控制，在產(chǎn)品品質(zhì)控制上是必需解決的不可控因素。所以需要在生長后測得厚度或電學性能分布再利用局部腐蝕的方法達到更精密控制晶圓均勻性的技術(shù)。生長后控制均勻性的方法比較少，當前主要為CMP時依靠局部應(yīng)力或壓力調(diào)整腐蝕速率和局部噴淋腐蝕。

然而，上述已有技術(shù)方案都無法做到精密分區(qū)和隔離待腐蝕區(qū)，所以對更細致的以均勻性為目標的晶圓腐蝕作用較小，無法達到更高的均勻性目標。

由于已有技術(shù)方案都無法做到精密分區(qū)和隔離待腐蝕區(qū)，對更細致的以均勻性為目標的晶圓腐蝕作用較小，因而無法達到更高的均勻性目標。本發(fā)明利用溶液的張力，設(shè)計一種用于精密分區(qū)腐蝕又不接觸晶圓表面的隔離網(wǎng)筒，將不均勻的晶圓進行分區(qū)腐蝕。分出的小區(qū)域可以是矩形，正六邊形，也可以是同心圓環(huán)。配合區(qū)域腐蝕技術(shù)（如每個小區(qū)域施以不同濃度腐蝕液或施以不同的腐蝕時間）實現(xiàn)分區(qū)精密控制，達到晶圓表面均勻化的目的。

如圖1~圖2所示，本實施例提供一種用于晶圓104分區(qū)腐蝕的隔離網(wǎng)筒，所述隔離網(wǎng)筒包括：筒壁101，用于套設(shè)于晶圓104外圍，并與所述晶圓104共同被真空吸附臺103吸附固定；隔離網(wǎng)壁102，固定于所述筒壁101內(nèi)，用于將晶圓104表面分隔成多個相互獨立的腐蝕區(qū)域105，當所述筒壁101被真空吸附臺103固定時，所述隔離網(wǎng)壁102延伸至晶圓104表面上方，并與晶圓104表面具有間距以形成非接觸氣隙，所述非接觸氣隙被配置為當腐蝕液進入某一個腐蝕區(qū)域105時，基于液體表面張力使得腐蝕液不會進入到與該腐蝕區(qū)域105相鄰的另一個腐蝕區(qū)域105。

如圖1所示，在一個實施例中，所述筒壁101的材質(zhì)可以為聚合物、陶瓷、金屬等耐腐蝕的材料，所述筒壁101的形狀例如可以為圓柱狀，所述筒壁101的徑向?qū)挾却笥谒鼍A104的徑向?qū)挾?，所述筒?01套設(shè)于晶圓104外圍時，所述筒壁101與所述晶圓104邊緣之間的間距D2為30微米~500微米，如100微米、200微米、300微米等，以避免套設(shè)時碰撞晶圓104而造成晶圓104或筒壁101的損傷。

如圖1所示，在一個實施例中，所述筒壁101的厚度較厚，以使其可被真空吸附臺103吸附固定，例如，所述筒壁101的厚度可以為1毫米~30毫米之間，以使其可被真空吸附臺103吸附固定的同時，保證其機械強度而不容易變形。

如圖1所示，所述隔離網(wǎng)壁102的厚度較小，以保證隔離網(wǎng)壁102的所占用的晶圓104面積較小，從而保證晶圓104表面腐蝕的完整性，在一個實施例中，所述隔離網(wǎng)壁102的厚度范圍為10微米~300微米，例如可以為50微米、200微米等。所述隔離網(wǎng)壁102的材質(zhì)可以為聚合物、陶瓷、金屬等耐腐蝕的材料，所述隔離網(wǎng)壁102可以與所述筒壁101一體成型，或者通過如焊接、粘貼等與所述筒壁101固定連接。

如圖1所示，在一個實施例中，所述筒壁101與所述隔離網(wǎng)壁102的高度差為晶圓104高度加上5微米~500微米之和。當所述筒壁101被真空吸附臺103固定時，所述隔離網(wǎng)壁102與所述晶圓104表面的非接觸氣隙的間距D1為5微米~500微米，本發(fā)明的非接觸氣隙被配置為當腐蝕液進入某一個腐蝕區(qū)域105時，基于液體表面張力使得腐蝕液不會進入到相鄰的腐蝕區(qū)域105，可以避免隔離網(wǎng)壁102對晶圓104造成損傷，大大提高工藝穩(wěn)定性，同時，可以消除因晶圓104表面不平整導致的直接接觸造成高度差異而產(chǎn)生有的部分直接接觸的情況。

本發(fā)明利用溶液的張力，設(shè)計出了一種用于精密分區(qū)腐蝕又不接觸晶圓104表面的隔離網(wǎng)筒，將不均勻的晶圓104進行分區(qū)腐蝕。本發(fā)明可以實現(xiàn)一片晶圓104上分區(qū)腐蝕，每一個腐蝕區(qū)域105的形狀大小可以通過隔離網(wǎng)筒的設(shè)計而達到符合實際需求，配合區(qū)域腐蝕技術(shù)（如每個腐蝕區(qū)域施以不同濃度腐蝕液或施以不同的腐蝕時間等）實現(xiàn)分區(qū)精密控制，滿足更精密的控制更嚴格的晶圓104均勻性要求，且不會造成晶圓表面劃傷和相鄰區(qū)域腐蝕液混合而無法區(qū)分的情況。

本發(fā)明的用于晶圓104分區(qū)腐蝕的隔離網(wǎng)筒，當腐蝕液進入某一個腐蝕區(qū)域105時由于液體的表面張力，腐蝕液不會進入到臨近的腐蝕區(qū)域105。而當相鄰腐蝕區(qū)域105都有腐蝕液時，有可能出現(xiàn)液體的融合而形成混合。為了精確腐蝕，本實施例提出一種可以保證每個腐蝕區(qū)域105的獨立性的腐蝕方法，在使用時不對相鄰小區(qū)同時加入腐蝕液。

本實施例還提供一種基于用于晶圓104分區(qū)腐蝕的隔離網(wǎng)筒的腐蝕方法，所述腐蝕方法包括以下步驟：

步驟1），將所述隔離網(wǎng)壁102分隔的多個相互獨立的腐蝕區(qū)域105進行分組，使每組中的任意兩個腐蝕區(qū)域105均不相鄰；

步驟2），依次對各組中的腐蝕區(qū)域105內(nèi)的晶圓104表面進行腐蝕，直至完成整片晶圓104的腐蝕。